巨磁电阻效应的发现
巨磁电阻效应是由法国科学家阿尔贝·费尔和德国科学家彼得·格林贝格尔在1988年独立发现的。这一发现对于现代信息技术产生了重大影响，特别是为人们能够使用小型化、大容量的硬盘以及在各种磁性传感器和电子学新领域的发展中所作出的奠基性贡献。

发现过程

阿尔贝·费尔和彼得·格林贝格尔的研究工作揭示了在铁、铬相间的三层复合电阻中，微弱的磁场可以导致电阻大小的急剧变化。这种现象被命名为“巨磁电阻效应”。他们的实验发现表明，并非任意两种不同种金属相间的三层膜都具有“巨磁电阻效应”，而是组成三层膜的两种金属中，有一种是铁、钴、镍这三种容易被磁化的金属中的一种，另一种是不易被磁化的其他金属，才可能产生“巨磁电阻效应”。

应用与发展

巨磁电阻效应的发现为硬盘技术的进步打开了新的篇章。1994年IBM公司根据“巨磁电阻效应”原理，研制出“新型读出磁头”，将磁场对复合膜阻值的影响转换成电流的变化来读取信息。这一发明使得磁盘记录密度一下子提高了17倍，达到了5Gbit/in²，最近甚至达到了11Gbit/in²，从而使磁盘在与光盘的竞争中重新占据了领先地位。
巨磁电阻效应不仅在硬盘技术中发挥了重要作用，还广泛应用于其他领域。 例如，利用巨磁电阻效应可以制成随机存储器（MRAM），其优点是在无电源的情况下可继续保留信息。此外，巨磁电阻效应还可以用于制造位移传感器、角度传感器、速度传感器等，这些传感器具有体积小、灵敏度高、线性范围宽、响应速度快、环境适应性强、功耗低、可靠性高等优点，可以广泛应用于数控机床、汽车电子、消费电子、航空航天、国防军工等领域。

国际认可与奖励

阿尔贝·费尔和彼得·格林贝格尔由于他们在巨磁电阻效应领域的开创性工作，被授予了2007年度诺贝尔物理学奖。这一荣誉的获得不仅是对他们个人科研成就的认可，也是对整个科学社区的鼓励，推动了更多科学家投身于磁性材料和器件的研究之中。

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